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第845章【新城微电子半导体】(2 / 2)

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“呵呵……”

方鸿看到这条新闻不禁笑了,自顾自地说道:“看来,多少还是有点急眼了啊,急眼就对了。”

国产光刻机对标世界最先进水平其实还有很长的一段距离要走的,可是今年上半年以来,大基金的出现让国际上的那些厂商感觉到了“不对味儿”,他们一开始就尝试要渗透、孵化大基金的管理层。

可他们并没有意识到,这会儿的大基金管理层团队虽然明面上和群星资本没什么关系,但实际上都是方鸿派过去的人,而结果就是他们发现渗透、孵化这一招收效甚微。

现在大基金的前都在落地到实处,比如这主攻光刻机的新微半导体就拿了不少钱,而且昨天借壳上市又向资本市场要了105个亿,几乎提供了花不完的钱。

拿了那么多的钱,基本都砸到研发项目里。

目前新微半导体同时在搞三代光刻机,因为光刻机的研发生产并不需要由低到高、循序渐进,是可以平行研发的,所以新微半导体直接起了三个团队并行研发。

这三个团队分别攻关第四代arf光刻机,第五代arfi光刻机,以及第六代极紫外光euv光刻机。

第四代的arf光刻机与第三代krf原理一样,但光源升级,采用193nm光源的光刻机,这两种称之为duv光刻机。

而第五代arfi光刻机,采用的也是193nm光源,但这种又与arf不一样,之前所有的光刻机其介质采用的是空气,但到了arfi光刻机时,采用的是水。

光线在经过水时,会有折射,所以虽然arfi光刻机采用193nm波长光源,经水折射时,等效于134nm波长的光源,所以这种光刻机,叫做浸润式光刻机。

说起来,曾经业界光刻机技术停止了很多年,尼康、佳能想把光源从193nm升级为165nm,但好多年没成功。

而抬积电提出来用水作介质,就跳过157nm,变成143nm了。

尼康、佳能很傲慢,不理抬积电,那时候asml只是个小厂,也敢于一试,最后就搏出了asml的未来,研发出了arfi浸润式光刻机,然后打得尼康、佳能一败涂地,成就了今天的行业地位。

而第六代euv光刻机,采用的则是13.5纳米的极紫外线光源了,这种光刻机目前全世界都没有搞出来,asml也一样,针对的事7纳米制程级别的芯片制造,而当前世界最先进的制程是在14纳米这一阶段。

可以确定的,整合国内光刻机产业链的新微半导体,其技术水平就是代表了目前国产技术的最高水平,现在是把所有的相关资源都砸在了新微半导体身上,由该公司对光刻机展开全力攻克任务。

像g线、i线国内都有了,krf也有了,就是新微半导体突破的。

目前在攻克的arf光刻机也已经快要突破了,并且正在全力死磕arfi光刻机,同时对于极紫外光刻euv的研究也有团队在展开论证。

各代的光刻机开发团队并行展开,同时也相互交流。

现在的新微半导体是要钱有人给钱,要人才方鸿这边到处给他找,而且因为老美对技术、元件等进行了封锁,在很大程度上非但没有击垮,反而因为外部的压力促使内部变得更加团结一致死磕。

……

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